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检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
1
作者
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平...
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
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关键词
检测设备
硅片材料
表面局部平整度
表面COP缺陷
精密/公差
比率
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职称材料
题名
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
1
作者
XIAYong
机构
adecorporation
出处
《电子工业专用设备》
2004年第5期15-24,共10页
文摘
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。
关键词
检测设备
硅片材料
表面局部平整度
表面COP缺陷
精密/公差
比率
Keywords
Metrology
Silicon wafers
Site flatness
Nanotopography
COP free polished wafer
P/T
Ratio
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
检测设备对空白晶圆在130nm及之后技术的质量认证(英文)
XIAYong
《电子工业专用设备》
2004
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