基于多孔硅光激荧光淬灭效应的SO_2传感器

本文提出了用于大气环境中 SO2 含量监测的多孔硅 (porous silicon)光学传感方法。该方法利用电化学浸蚀和 UV光氧化后形成轻微氧化多孔 Si,所产生的表面膜对 SO2 气体具有良好的敏感特性。本文依据 Si Ox Hy/Si界面处的过渡态模型分析了该方法的传感原理 ,利用 SEM和荧光光谱仪对 U V光氧化的多孔 Si膜层性质及传感性能进行初步实验 。