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光刻永恒
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作者 程天风 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期23-27,共5页
由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论... 由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。 展开更多
关键词 光刻技术 2010年 技术突破 解决方案 关键技术 浸没式 偏振光 实验室 应用 延伸
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