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光刻永恒
1
作者
程天风
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期23-27,共5页
由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论...
由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。
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关键词
光刻技术
2010年
技术突破
解决方案
关键技术
浸没式
偏振光
实验室
应用
延伸
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职称材料
题名
光刻永恒
1
作者
程天风
机构
asml china
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期23-27,共5页
文摘
由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。
关键词
光刻技术
2010年
技术突破
解决方案
关键技术
浸没式
偏振光
实验室
应用
延伸
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
F426.7 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
光刻永恒
程天风
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
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