掩膜级测量为闪存设计预测成像质量

闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响,并且曝光前掩膜的空间成像可以用于定义成像质量。