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用单片清洗设备进行晶圆背面清洗(英文) 被引量:1
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作者 Lewis Liu Eric Brause +2 位作者 Ismail Kashkoush Alan Walter Richard Novak 《电子工业专用设备》 2006年第7期14-19,51,共7页
晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一... 晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。 展开更多
关键词 晶圆清洗 背面清洗 氮化硅(Si3N4)粒子 粒子去除效率 清洗设备
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半导体产业中晶圆片表面处理的发展
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作者 Ismail Kashkoush Rich Novak 《电子工业专用设备》 2004年第9期5-7,38,共4页
回顾当前IC制造中使用的清洗技术是如何减少、消除或避免晶圆片表面沾污的发展历史。同时探讨优化晶圆片表面状态的重要性和寻求一种“完全避免沾污”的方法。
关键词 半导体 晶圆 表面处理 发展
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