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应变硅控制
1
《集成电路应用》
2006年第10期54-54,共1页
带有Scribe View的BedeMetrix-F型应变硅工艺控制系统可用于大规模半导体制造。该系统可以提供在划线或者经过光刻工艺的晶圆的键合区上通过小点进行原位测量。它采用高清晰度的X射线衍射测量各种参数,可以测量90nm节点的外延层应变、...
带有Scribe View的BedeMetrix-F型应变硅工艺控制系统可用于大规模半导体制造。该系统可以提供在划线或者经过光刻工艺的晶圆的键合区上通过小点进行原位测量。它采用高清晰度的X射线衍射测量各种参数,可以测量90nm节点的外延层应变、成分、厚度以及松弛。其他应用还包括超薄阻挡层金属工艺控制和金属叠层工艺控制。
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关键词
工艺控制系统
应变硅
X射线衍射测量
原位测量
半导体制造
光刻工艺
高清晰度
外延层
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职称材料
题名
应变硅控制
1
机构
bede x-ray metrology
出处
《集成电路应用》
2006年第10期54-54,共1页
文摘
带有Scribe View的BedeMetrix-F型应变硅工艺控制系统可用于大规模半导体制造。该系统可以提供在划线或者经过光刻工艺的晶圆的键合区上通过小点进行原位测量。它采用高清晰度的X射线衍射测量各种参数,可以测量90nm节点的外延层应变、成分、厚度以及松弛。其他应用还包括超薄阻挡层金属工艺控制和金属叠层工艺控制。
关键词
工艺控制系统
应变硅
X射线衍射测量
原位测量
半导体制造
光刻工艺
高清晰度
外延层
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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出处
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1
应变硅控制
《集成电路应用》
2006
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