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Wafer-scale arrayed p-n junctions based on few-layer epitaxial GaTe 被引量:5
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作者 Xiang Yuan Lei Tang +12 位作者 Peng Wang Zhigang Chen Yichao Zou Xiaofeng Su Cheng Zhang Yanwen Liu Weiyi Wang Cong Liu Fansheng Chen Jin Zou Peng Zhou Weida Hu Faxian Xiu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期3332-3341,共10页
二维(2D ) 材料吸引了实质的注意在电子并且有灵活、透明、高度悦耳的优异优点的 optoelectronic 应用。当时,无差距的 graphene 展出极端宽带、快的 photoresponse 半导体的瞬间 <sub>2</sub> 和门高展出的 2D 敏感和悦耳... 二维(2D ) 材料吸引了实质的注意在电子并且有灵活、透明、高度悦耳的优异优点的 optoelectronic 应用。当时,无差距的 graphene 展出极端宽带、快的 photoresponse 半导体的瞬间 <sub>2</sub> 和门高展出的 2D 敏感和悦耳的 responsivity 到可见的光。然而,设备收益和重覆性打电话让进一步的改进完成大规模一致性。这里,我们与 28.4 厘米 <sup>2</sup>/(V0 的高洞活动性报导晶片规模门的 layer-by-layer 展开更多
关键词 P-N结 阵列 硅光电二极管 二维材料 光电子器件 圆片 外部量子效率 高度可调
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