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离子注入诱发YSZ相变和Pyrochlore纳米晶的电子显微研究
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作者 祖小涛 朱莎 王鲁闵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期311-312,共2页
 通过剖面电子显微技术研究了离子注入在单晶YSZ中诱发生成Pyrochlore纳米晶(约10nm),并使萤石结构的YSZ局部相变为焦绿石结构。在YSZ单晶中注入180keVTi+离子,注入温度为常温,Ti+注量为1×1017ions/cm2,随后在1100℃的氩气中退火2...  通过剖面电子显微技术研究了离子注入在单晶YSZ中诱发生成Pyrochlore纳米晶(约10nm),并使萤石结构的YSZ局部相变为焦绿石结构。在YSZ单晶中注入180keVTi+离子,注入温度为常温,Ti+注量为1×1017ions/cm2,随后在1100℃的氩气中退火2h。电子显微研究表明,Y(钇)稳定的立方ZrO2转变成为点阵常数a≈(1.024±0.005)nm的焦绿石结构A2B2O7(Y2(TixZr1-x)2O7)。生成的Y2(TixZr1-x)2O7与母相保持共格,有[110]YSZ∥[110]P和(11-1)YSZ∥(11-1)P的取向关系。阳离子有序和化学成分的重新分布被认为是这种相变发生的机理。 展开更多
关键词 快离子导体 离子注入 YSZ相变 纳米晶 电子显微技术 萤石结构 焦绿石结构 阳离子有序
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