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Chemical vapor deposition growth of large-scale hexagonal boron nitride with controllable orientation 被引量:12
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作者 Xiuju Song Junfeng Gao +11 位作者 Yufeng Nie Teng Gao Jingyu Sun Donglin Ma Qiucheng Li Yubin Chen Chuanhong Jin Alicja Bachmatiuk Mark H. Rummeli Feng Ding Yanfeng Zhang Zhongfan Liu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期3164-3176,共13页
有一致厚度的大域的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的化学蒸汽免职(CVD ) 合成是很挑战性的,主要由于这材料的极其高的成核密度。此处,我们报导晶片规模的成功的生长,有大单人赛水晶的领域尺寸的高质量的 h-BN 单层电影,吗直到~ 72 ?????... 有一致厚度的大域的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的化学蒸汽免职(CVD ) 合成是很挑战性的,主要由于这材料的极其高的成核密度。此处,我们报导晶片规模的成功的生长,有大单人赛水晶的领域尺寸的高质量的 h-BN 单层电影,吗直到~ 72 ??????????????????????????慮潮档湡敮獬???????慮潮畴敢??洠獥灯牯????  ?? 展开更多
关键词 化学气相沉积 生长空间 生长取向 六角氮化硼 CU(111) 可控 密度泛函理论 成核密度
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