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MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究
1
作者 杨凯 张荣 +6 位作者 臧岚 秦林洪 沈波 施洪涛 郑有炓 Z.C.Huang J.C.Chen 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期188-192,共5页
采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光... 采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。 展开更多
关键词 氮化镓 光调制反射光谱 MOCVD生长
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Analysis on porous Si PL from quantum confinement effect
2
作者 WANGKaiyuan TANGJieying 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期84-87,共4页
ＡｎａｌｙｓｉｓｏｎｐｏｒｏｕｓＳｉＰＬｆｒｏｍｑｕａｎｔｕｍｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔｅｆｆｅｃｔＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ；ＴＡＮＧＪｉｅｙｉｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ... ＡｎａｌｙｓｉｓｏｎｐｏｒｏｕｓＳｉＰＬｆｒｏｍｑｕａｎｔｕｍｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔｅｆｆｅｃｔＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ；ＴＡＮＧＪｉｅｙｉｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６ＣＨＮ... 展开更多
关键词 多孔材料 电镀 光谱分析 光致发光 量子禁闭 硅
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Analytical model of a superluminescent diode
3
作者 MADongge SHIJiawei 等 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期71-76,共6页
ＡｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆａｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｏｄｅＭＡＤｏｎｇｇｅ；ＳＨＩＪｉａｗｅｉ；ＧＡＯＤｉｎｇｓａｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃ... ＡｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆａｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｏｄｅＭＡＤｏｎｇｇｅ；ＳＨＩＪｉａｗｅｉ；ＧＡＯＤｉｎｇｓａｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００２３，ＣＨＮ）Ａｂｓ... 展开更多
关键词 光源 载流子密度 光子密度 反射性 冷光二极管
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