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Diodes新型直流/直流转换器提升轻载效率
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《电子技术应用》 北大核心 2013年第2期5-5,共1页
Diodes公司(Diodes Incorporated)为使电子产品达到轻载及待机状态能源效率标准,近日推出了AP65200同步直流/直流降压转换器。该转换器在200 mA轻载下的效率可高达96%,即使负载低至20mA仍能维持70%以上的效率。该转换器具有高集... Diodes公司(Diodes Incorporated)为使电子产品达到轻载及待机状态能源效率标准,近日推出了AP65200同步直流/直流降压转换器。该转换器在200 mA轻载下的效率可高达96%,即使负载低至20mA仍能维持70%以上的效率。该转换器具有高集成度,需要很少的外部元件,适合于电视、显示屏及机顶盒等消费性电子产品内的分布式供电架构。 展开更多
关键词 直流 直流转换器 轻载 消费性电子产品 能源效率标准 降压转换器 分布式供电 待机状态 高集成度
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Diodes负载开关提升HDMI端口保护功能
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《电子技术应用》 北大核心 2012年第1期80-80,共1页
Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口(HDMI)的标准及其他监视器接口的保护功能而优化设计,适合于3V~5V的热插拔连接以及其他承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。
关键词 保护功能 负载开关 HDMI 高清晰度多媒体接口 端口 电容性负载 优化设计 单信道
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Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率
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《电子技术应用》 北大核心 2012年第2期87-87,共1页
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源... Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助于电源供应系统更容易地达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。 展开更多
关键词 MOSFET 控制器 肖特基二极管 电源供应系统 电源设计 便携式电脑 额定电压 电源效率
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Diodes扩充通用低压CMOS逻辑系列
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《微型机与应用》 2013年第4期57-57,共1页
Diodes公司(Diodes Incorporated)继续扩展其标准逻辑产品线,为四大系列的高速CMOS器件带来更多封装选择。这些4路及6路配置的HC、HCT、AHC与AHCT系列逻辑器件采用S014和TSSOP14封装,提供十项最常用的逻辑功能。这些器件广泛适用于... Diodes公司(Diodes Incorporated)继续扩展其标准逻辑产品线,为四大系列的高速CMOS器件带来更多封装选择。这些4路及6路配置的HC、HCT、AHC与AHCT系列逻辑器件采用S014和TSSOP14封装,提供十项最常用的逻辑功能。这些器件广泛适用于计算、消费性电子产品、家用电器、建筑控制和工业自动化应用。 展开更多
关键词 逻辑器件 低压CMOS CMOS器件 消费性电子产品 通用 自动化应用 逻辑功能 家用电器
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Diodes为电池供电产品推出低压低电流运算放大器
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《微型机与应用》 2014年第10期46-46,共1页
Diodes公司(Diodes Incorporated)目前推出单通道轨对轨(rail-to—rail)输出运算放大器TLV271,可直接替代行业标准组件,使设计人员得以善用整个电源电压工作范围。 TLV27I提供从2.7V~16V宽广的工作电压范围,以支持一系列以电... Diodes公司(Diodes Incorporated)目前推出单通道轨对轨(rail-to—rail)输出运算放大器TLV271,可直接替代行业标准组件,使设计人员得以善用整个电源电压工作范围。 TLV27I提供从2.7V~16V宽广的工作电压范围,以支持一系列以电池供电的低功耗消费性和工业产品。这个器件具有2MHz的高增益带宽及1.4V/μs的快速电压转换速率,而静态电流只有550μA的情况下可把功耗减到最低。 展开更多
关键词 运算放大器 电池供电 产品推出 低电流 低压 电源电压 标准组件 设计人员
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DiodesLED驱动器为非可调光MR16灯设计提供E型变压器高度兼容性
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《微型机与应用》 2015年第5期46-46,共1页
近日,Diodes公司(Diodes Incorporated)推出LED驱动转换器AL8820。新产品为紧凑的两段式升、降压非可调光MR16灯设计解决方案,具有高功率因数、低总谐波失真及低输出电流纹波。以6 W的MR16应用为例,该器件可搭配大部分通用LED灯变压器... 近日,Diodes公司(Diodes Incorporated)推出LED驱动转换器AL8820。新产品为紧凑的两段式升、降压非可调光MR16灯设计解决方案,具有高功率因数、低总谐波失真及低输出电流纹波。以6 W的MR16应用为例,该器件可搭配大部分通用LED灯变压器,在0.9功率因数及30%总谐波失真下支持无闪烁工作。AL8820把两个直流-直流稳压器集成到5 mm×6 mm的SO-8EP封装,以连续电流模式工作,并采用创新的控制机制,以确保与大部分通用电子变压器高度兼容。 展开更多
关键词 LED驱动器 电子变压器 LED灯 兼容性 可调光 设计 总谐波失真 直流稳压器
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Diodes音频放大器为便携式产品节省空间而特别设计
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《微型机与应用》 2014年第15期32-32,共1页
日前 Diodes 公司( Diodes Incorporated )推出两款高效低噪声的3 W 单声道 D 类音频放大器 PAM8013及PAM8015,两款产品都采用了超级微小的 QFN1515-9L 封装,尺寸仅为1.5 mm×1.5 mm ×0.75 mm ,为支持MP3播放器、平板电... 日前 Diodes 公司( Diodes Incorporated )推出两款高效低噪声的3 W 单声道 D 类音频放大器 PAM8013及PAM8015,两款产品都采用了超级微小的 QFN1515-9L 封装,尺寸仅为1.5 mm×1.5 mm ×0.75 mm ,为支持MP3播放器、平板电脑和智能手机等便携式产品的微型化而特别设计。 展开更多
关键词 便携式产品 音频放大器 设计 空间 MP3播放器 智能手机 平板电脑 低噪声
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Diodes全新SBR整流器可缩小充电器
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《中国集成电路》 2013年第6期30-30,共1页
Diodes公司推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR),以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试,能够承受超薄断续模式反激式充电... Diodes公司推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR),以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试,能够承受超薄断续模式反激式充电器在设计上更高的电流脉冲和工作温度。 展开更多
关键词 充电器 整流器 SBR BARRIER 反向漏电流 平板电脑 智能手机 特性测试
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Polarization control and tuning efficiency of tunable vertical-cavity surface-emitting laser with internal-cavity sub-wavelength grating 被引量:1
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作者 Xiao-Long Wang Yong-Gang Zou +2 位作者 Zhi-Fang He Guo-Jun Liu Xiao-Hui Ma 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期310-316,共7页
We design an 850 nm tunable vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)structure using an internal-cavity sub-wavelength grating.The use of such a tuning structure allows for wider wavelength tuning range and more s... We design an 850 nm tunable vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)structure using an internal-cavity sub-wavelength grating.The use of such a tuning structure allows for wider wavelength tuning range and more stable single-polarization as compared to conventional tunable VCSELs.The features of the internal-cavity grating effect on the wavelength tuning and polarization characteristics of the tunable VCSEL are analyzed.The simulation results show that the largest wavelength tuning range achieves 44.2 nm,and the maximum orthogonal polarization suppression ratio(OPSR)is 33.4 dB(TE-type)and 38.7 dB(TM-type). 展开更多
关键词 sub-wavelength grating polarization mode tunable VCSEL wavelength tuning
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Lateral characteristics improvements of DBR laser diode with tapered Bragg grating 被引量:1
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作者 Qi-Qi Wang Li Xu +2 位作者 Jie Fan Hai-Zhu Wang Xiao-Hui Ma 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第9期307-312,共6页
Broad area semiconductor laser(BAL)has poor lateral beam quality due to lateral mode competition,which limits its application as a high-power optical source.In this work,the distributed Bragg reflector laser diode wit... Broad area semiconductor laser(BAL)has poor lateral beam quality due to lateral mode competition,which limits its application as a high-power optical source.In this work,the distributed Bragg reflector laser diode with tapered grating(TDBR-LD)is studied.By changing the lateral width,the tapered grating increases the loss of high-order lateral modes,thus improving the lateral characteristics of the laser diode.The measuring results show that the TDBR-LD can achieve a single-lobe output under 0.9 A.In contrast to the straight distributed Bragg reflector laser diode(SDBR-LD),the lateral far field divergence of TDBR-LD is measured to be 5.23°at 1 A,representing a 17%decline.The linewidth of TDBR-LD is 0.4 nm at 0.2 A,which is reduced by nearly 43%in comparison with that of SDBR-LD.Meanwhile,both of the devices have a maximum output power value of approximate 470 mW. 展开更多
关键词 tapered Bragg grating ateral beam semiconductor laser
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Highly sensitive giant magnetoimpedance in a solenoid containing FeCo-based ribbon
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作者 方允樟 许启明 +6 位作者 郑金菊 吴锋民 叶慧群 斯剑霄 郑建龙 范晓珍 杨晓红 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期423-427,共5页
The highly sensitive giant magneto-impedance effect in a solenoid containing a magnetic core of Fe36Co36Nb4Si4.sB19.2 (FeCo-based) ribbon under a weak magnetic field (WMF) is presented in this paper. The FeCo-base... The highly sensitive giant magneto-impedance effect in a solenoid containing a magnetic core of Fe36Co36Nb4Si4.sB19.2 (FeCo-based) ribbon under a weak magnetic field (WMF) is presented in this paper. The FeCo-based amorphous ribbon is prepared by single roller quenching and annealed with Joule heat in a flowing nitro- gen atmosphere. The giant magnetoimpedance effect in solenoid (GMIES) profiles are measured with an HP4294A impedance analyzer. The result shows that the CMIES responds to the WMF sensitively (as high as 1580 %/A.m-1). The high sensitivity can be obtained in a moderate narrow range of annealing current density (30-34 A/mm2) and closely depends on the driven current frequency. The highest sensitivity (1580 %/A.m-1) is obtained when the FeCo- based amorphous ribbon is annealed at 32 A/mm2 for 10 min and then driven with an alterning current (AC) at the frequency of 350 kHz. The highly sensitive GMIES under the WMF may result from the multiple magnetic-anisotropic structure, which is induced by the temperature gradient produced during Joule-heating the ribbon. 展开更多
关键词 giant magneto-impedance FeCo-based ribbon Joule heat weak magnetic field
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Amphiphilic Bio-molecules/ZnO Interface: Enhancement of Bio-affinity and Dispersibility
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作者 MENG Xiu-Qing FANG Yun-Zhang WU Feng-Min 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2012年第1期206-208,共3页
The dispersibility of bio-molecules such as lecithins on the surface of ZnO nanowires are investigated for biosensor applications.Lecithins can be absorbed on an as-synthesized ZnO nanowire surface in the form of sub-... The dispersibility of bio-molecules such as lecithins on the surface of ZnO nanowires are investigated for biosensor applications.Lecithins can be absorbed on an as-synthesized ZnO nanowire surface in the form of sub-micro sized clusters,while scattering well on those annealed under oxygen atmosphere.Wettability analysis reveals that the as-synthesized ZnO nanowires bear a super-hydrophobic surface,which convents to superhydrophilic after oxygen annealing.First-principles calculations indicate that the adsorption energy of ZnO with water is about 0.2 eV at a distance of 2(A) when it is superhydrophilic,suggesting that lecithin can be absorbed on the hydrophilic surface stably at this distance and the bio-affinity can be enhanced under this condition. 展开更多
关键词 NANOWIRES sized surface
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电池保护电路配备精准电压检测功能
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《今日电子》 2016年第4期66-67,共2页
AP9214L把锂离子电地保护电路与双N通道共漏极MOSFET共同封装,当它检测到过充电压/电流、过放电压/电流或负载短路的情况时就会快速关断MOSFET。稳定的温度系数特性确保器件的高精度电压检测能力,可在多种电压范围内进行终端应用所... AP9214L把锂离子电地保护电路与双N通道共漏极MOSFET共同封装,当它检测到过充电压/电流、过放电压/电流或负载短路的情况时就会快速关断MOSFET。稳定的温度系数特性确保器件的高精度电压检测能力,可在多种电压范围内进行终端应用所需的精准设定。AP9214L在+25℃的正常模式下,静态电流一般低至3.0μA,加上其MOSFET具有一般为13.5mΩ的超低导通电阻,有助于大幅节省功率。 展开更多
关键词 电池保护电路 电压检测 MOSFET 电压/电流 功能 配备 低导通电阻 负载短路
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单芯锂离子充电电池组保护芯片
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《今日电子》 2016年第4期66-66,共1页
AP9211把电池保护芯片及标准的双N通道共汲极MOSFET共同封装到3mm×2mm六引脚U-DFN2030-6封装。这款少于0.6mm的超薄封裟有助于实现更纤巧的保护电路板设计,为特定尺寸的电池增加电池容量。该芯片会连续监测电压和电流以快速关断M... AP9211把电池保护芯片及标准的双N通道共汲极MOSFET共同封装到3mm×2mm六引脚U-DFN2030-6封装。这款少于0.6mm的超薄封裟有助于实现更纤巧的保护电路板设计,为特定尺寸的电池增加电池容量。该芯片会连续监测电压和电流以快速关断MOSFET,从而防止负载短路等过度充放电的情况。AP9211更进一步提高效益,采用高达30V电压的互补金属氧化物半导体(CMOs)工艺流程,足以承受浪涌电压。该工艺流程还确保高精度电压检测功能及稳定温度系数性能。 展开更多
关键词 电池保护 电池组 芯片 互补金属氧化物半导体 锂离子 MOSFET 充电 单芯
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150mA低压差稳压器
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《今日电子》 2015年第7期68-68,共1页
AP7342是LDO稳压器,在1.7-5.25V的宽广输入电压范围内提供双150m A输出电流,以及仅为1%的高电压精度。AP7342其他优点还包括达到75d B的高电源抑制比,以及在10H z-100k Hz的频率范围内低至60μVrms的噪声敏感度,能够为音频和视频应用,... AP7342是LDO稳压器,在1.7-5.25V的宽广输入电压范围内提供双150m A输出电流,以及仅为1%的高电压精度。AP7342其他优点还包括达到75d B的高电源抑制比,以及在10H z-100k Hz的频率范围内低至60μVrms的噪声敏感度,能够为音频和视频应用,以及无线适配器等配备射频子系统的通信装置提供最好的性能。 展开更多
关键词 低压差稳压器 LDO稳压器 电源抑制比 射频子系统 无线适配器 电压范围 输出电流 电压精度
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高准确度的线性LED控制器
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《今日电子》 2018年第6期66-66,共1页
AL5814、AL5817、AL5815以及AL5816线性LED控制器,为LED灯条提供可调光和可调节的驱动电流,效率高达80%以上.这些装置的输入范围为4.5~60V,无须电感,可保持良好的EMI效能,使系统整合更简单.
关键词 LED灯 控制器 高准确度 线性 驱动电流 输入范围 可调节 可调光
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高速多通道多任务器/多路分配器信号开关IC
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作者 《今日电子》 2018年第8期63-63,共1页
这两款产品是1~20Gb/s2信道和4信道2:1的差动多任务器/多路分配器,具备超低损耗、反射、串音和歪斜。在信道与路由方面提供绝佳的弹性,典型的应用包括切换采用最新通信协议的高速串行信号,包括:20Gb/sThunderboltTM3;16Gb/sPCIe 4.0架构... 这两款产品是1~20Gb/s2信道和4信道2:1的差动多任务器/多路分配器,具备超低损耗、反射、串音和歪斜。在信道与路由方面提供绝佳的弹性,典型的应用包括切换采用最新通信协议的高速串行信号,包括:20Gb/sThunderboltTM3;16Gb/sPCIe 4.0架构;10Gb/sUSB3.1Gen2;12Gb/s串行SCSI3(SAS3);8.1Gb/sDisplayPort4(DP4);12Gb/s HDMI2.1,以及10Gb/s以太网络标准。 展开更多
关键词 多路分配器 多任务 信号开关 多通道 IC 串行信号 通信协议 网络标准
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Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum 被引量:1
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作者 王书荣 朱洪亮 +7 位作者 刘志宏 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 边静 王鲁峰 王圩 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第6期359-361,共3页
A kind of novel broad-band superluminescent diodes (SLDs) using graded tensile-strained bulk InGaAs is developed. The graded tensile-strained bulk InGaAs is obtained by changing only group-Ⅲ trimethyl-gallium source ... A kind of novel broad-band superluminescent diodes (SLDs) using graded tensile-strained bulk InGaAs is developed. The graded tensile-strained bulk InGaAs is obtained by changing only group-Ⅲ trimethyl-gallium source flow during low-pressure metal organic vapor-phase epitaxy. At the injection current of 200 mA, the fabricated SLDs with such structure demonstrate full-width at half-maximum spectral width of 106 nm and the output light power of 13.6 mW, respectively. 展开更多
关键词 Emission spectroscopy Light sources Metallorganic vapor phase epitaxy Semiconducting indium gallium arsenide Semiconductor diodes
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Parallel optical coherence tomography using a CCD camera 被引量:2
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作者 屈军乐 Ravi S.Jonnal Donald T.Miller 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第8期475-476,共2页
Parallel optical coherence tomography is demonstrated using a 12-bit scientific-grade charge-coupled device array. A superluminescent diode in combination with a free-space Michelson interferometer was employed to ach... Parallel optical coherence tomography is demonstrated using a 12-bit scientific-grade charge-coupled device array. A superluminescent diode in combination with a free-space Michelson interferometer was employed to achieve 10-μm axial resolution and 1.1-μm transverse resolution on a 902×575 /μm2 field of view. We imaged a test mirror and bovine retinal tissue using a four-step phase shift method. 展开更多
关键词 Cameras Charge coupled devices INTERFEROMETERS Phase shift Semiconductor diodes
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Laser diode stacks:pulsed light power for nuclear fusion 被引量:1
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作者 Martin Wlz Agnieszka Pietrzak +5 位作者 Alex Kindsvater Jens Meusel Klaus Stolberg Ralf Hlsewede Jrgen Sebastian Valentin Loyo-Maldonado 《High Power Laser Science and Engineering》 SCIE CAS CSCD 2016年第2期29-36,共8页
Laser drivers are an enabling factor to inertial confinement fusion, because laser diodes must be used instead of flash lamps. We discuss the limitations of laser diode arrays and show what steps the industry is takin... Laser drivers are an enabling factor to inertial confinement fusion, because laser diodes must be used instead of flash lamps. We discuss the limitations of laser diode arrays and show what steps the industry is taking. The pump power requirements of large-scale projects such as LIFE or Hi PER are within reach of semiconductor laser diode assemblies.Pulsed light output powers per laser bars have been around 300 W per bar, as in the Jenoptik 940 nm bars previously used for pumping the Yb:YAG slabs in the Di POLE project. By redesigning the semiconductor laser structures 500 W per bar is now commercially available for 808, 880 and 940 nm pump wavelengths. The construction of one inertial fusion power plant will require an amount of semiconductor laser chips in excess of the current annual production by two orders of magnitude. This adds to the engineering task of improving the device characteristics a challenge to production capacity.While the industry benefits from the recent boost in solid-state lighting that acts as a technology driver, cooperation between manufacturers will be imperative, and to this end we propose standardization efforts. 展开更多
关键词 DIODE pumped DPSSL HIGH-ENERGY class IFE inertial fusion energy LASER DIODE solid-state-laser
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