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极紫外光刻光源
被引量:
2
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作者
邱孟通
P.Choi
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期406-408,417,共4页
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方...
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向是提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等。
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关键词
极紫外
光刻
极紫外光刻
下一代光刻
下载PDF
职称材料
题名
极紫外光刻光源
被引量:
2
1
作者
邱孟通
P.Choi
机构
西北核技术研究所
eppra sas.courtaboeuf
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期406-408,417,共4页
基金
欧盟资助项目(IST-2001-35254
SOARING)
文摘
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向是提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等。
关键词
极紫外
光刻
极紫外光刻
下一代光刻
Keywords
ultraviolet
lithography
EUVL
NGL
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极紫外光刻光源
邱孟通
P.Choi
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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