多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La－Pb－Mn－O体材料．材料的铁磁相变温度Tc为257K，其金属－半导体转变温度Tp为251K．外加磁场分别为5T和13T时，材料的巨磁电阻（GMR）峰值分别达到72％和85％．在77K～室温的温度范围内，材料都具有GMR效应，Tp附近具有GMR峰值效应．GMR效应与自旋极化子行为有关，而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外，与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关．另外，多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内，尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献．在Tp处；晶粒间自旋极化隧道效应被抑制，导致低场GMR效应的消失．

掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_(3-δ)体材料的巨磁电阻特性

利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（ＴＣ）为２８０Ｋ，其金属半导体转变温度（Ｔｐ） 为２７０Ｋ，接近于ＴＣ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ） 峰值温度与Ｔｐ 十分接近。外加磁场为０．６Ｔ 和５Ｔ时，材料的ＭＲ 峰置分别达到４０％ 和７６％ 。材料具有显著的巨磁电阻效应。在液氮温度附近，也观察到了相当大的磁电阻效应。利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（ＴＣ）为２８０Ｋ，其金属半导体转变温度（Ｔｐ） 为２７０Ｋ，接近于ＴＣ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ） 峰值温度与Ｔｐ 十分接近。外加磁场为０．６Ｔ 和５Ｔ时，材料的ＭＲ 峰置分别达到４０％ 和７６％ 。材料具有显著的巨磁电阻效应。在液氮温度附近，也观察到了相当大的磁电阻效应。