期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
CoSi_2中As^+和BF_2^+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究 被引量：1
1
作者 徐立 张国炳 +3 位作者 陈文茹 武国英 王阳元 龚里 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期309-315,共7页
向CoSi_2膜中分别注入As^+和BF_2^+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N^+-P和 P^+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si... 向CoSi_2膜中分别注入As^+和BF_2^+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N^+-P和 P^+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理. 展开更多
关键词 CoSi2膜 杂质 硅化物 浅结 性能
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部