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The Fundamental Mechanisms of the Absorption Process of Si During Rapid Thermal Process
1
作者
Ivaldo Torres
Cristobal Voz
Ramon Alcubilla
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012年第10期517-522,共6页
关键词
硅晶片
吸收过程
热工过程
红外发光二极管
数字锁相放大器
机制
数据传输
实验步骤
下载PDF
职称材料
题名
The Fundamental Mechanisms of the Absorption Process of Si During Rapid Thermal Process
1
作者
Ivaldo Torres
Cristobal Voz
Ramon Alcubilla
机构
grupo logos
Departament d'Engenyeria Electronica
出处
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012年第10期517-522,共6页
关键词
硅晶片
吸收过程
热工过程
红外发光二极管
数字锁相放大器
机制
数据传输
实验步骤
Keywords
Absorption coefficient, silicon, IR-transmission, temperature, interband tansition, free carrier absorption.
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TQ021.4 [化学工程]
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1
The Fundamental Mechanisms of the Absorption Process of Si During Rapid Thermal Process
Ivaldo Torres
Cristobal Voz
Ramon Alcubilla
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012
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