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Hole and/or Electron Mediated Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductor？
1
作者
Dang Duc Dung
Nguyen Thi Mua
+1 位作者
Nguyen Van Quyet
Sunglae Cho
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012年第4期317-323,共7页
关键词
自旋电子材料
稀磁半导体
铁磁性
介导
MN掺杂
居里温度
掺杂浓度
理论预测
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职称材料
题名
Hole and/or Electron Mediated Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductor？
1
作者
Dang Duc Dung
Nguyen Thi Mua
Nguyen Van Quyet
Sunglae Cho
机构
Department
of
General Physics
Department
of
Physics
hanoi universitv of prevention and fizht fire
School
of
Materials Science ＆ Engineering
出处
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012年第4期317-323,共7页
关键词
自旋电子材料
稀磁半导体
铁磁性
介导
MN掺杂
居里温度
掺杂浓度
理论预测
Keywords
Magnetic semiconductor, Gal.xMnxAs, n-type dopants, p-type dopants.
分类号
TN04 [电子电信—物理电子学]
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
Hole and/or Electron Mediated Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductor？
Dang Duc Dung
Nguyen Thi Mua
Nguyen Van Quyet
Sunglae Cho
《材料科学与工程（中英文B版）》
2012
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