补偿光学光刻工艺特性产生的场内套准误差

分别论述了曝光照明配合和隔离工艺产生的场内套准误差。在当前的光学工艺中 ,变形照明技术 (如环形照明、四极照明及小σ孔径照明技术 )被广泛用来拓展光学光刻的实用极限。同时 ,由于每种照明条件具有不同的光学特性 ,可使场内套准变差。CMOS器件制造中隔离工艺也被视为产生场内套准误差的关键步骤 ,来自热循环和各种类型膜的圆片应力可诱发这种误差。并研究了照明条件配合、隔离模式、场氧化温度、厚度等的效应。通过曝光场比例值进行场内套准误差补偿。