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Zr50Cu50合金过冷熔体中的晶体生长速度
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作者 王强 马明臻 +2 位作者 张新宇 刘日平 D．M．Herlach 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1415-1418,共4页
利用静电悬浮设备成功地实现了Zr_(50)Cu_(50)合金熔体的深过冷与凝固,并测得了在近200 K的过冷度范围内的晶体生长速度.随过冷度的增加,初生ZrCu相的晶体生长速度几乎呈线性增大,但在整个测量的过冷度范围之内,其生长速度极低,比一般... 利用静电悬浮设备成功地实现了Zr_(50)Cu_(50)合金熔体的深过冷与凝固,并测得了在近200 K的过冷度范围内的晶体生长速度.随过冷度的增加,初生ZrCu相的晶体生长速度几乎呈线性增大,但在整个测量的过冷度范围之内,其生长速度极低,比一般的金属、Si和Ge等的生长速度低两个数量级以上. 展开更多
关键词 Zr50Cu50合金 过冷凝固 晶体生长速度
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