具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT

为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.

具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT

为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低"死区"内的电场强度,使较高的电场强度转移至"死区"外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度(dp)的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值(fT×BVCEO×β)的新型超结集电区Si Ge HBT.结果表明:与传统Si Ge HBT相比,新器件的fT×BVCEO×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率Si Ge HBT的高压大电流工作范围.

如何设计灵活可扩展的数字音频放大器

实用化的D类音频放大器需要4种功能模块:误差放大器、PWM比较器、栅驱动器和保护电路。现在,一种采用16引脚封装的单片IC就可以向那些希望设计出可升级的、高性能的音频功率放大器的工程师们提供这些关键功能。过载保护——从设计的角度来看,是成本最高,占用面积最大,而且所消耗时间最长的功能部分——如今已成为最轻松的设计步骤之一,这让设计者可以把宝贵的时间用在那些能让其最终产品具备鲜明特色的功能上。

用于电器和轻工业先进电动机驱动器的集成封装工艺

为家用电器设计的电动机是全球电能产品的最大用户之一,并代表电子工业直接产生积极影响的应用领域.这些电动机的效率在不断提高,即使增幅很小,都会对世界能量消耗产生巨大影响,并使环境、政府和用户受益.基于逆变器的电动机控制是提高效率的关键,但只有减少常规逆变器设计的开发时间、材料成本和总尺寸,才能在市场上获得成功.

可提高双晶体管正激DC-DC电路效率的同步整流器控制芯片

一个DC-DC变换器,如果其初级侧采用双晶体管正激拓扑,那么该变换器虽可接受高的输入电压,但却缺乏驱动次级侧电路的动态复位电路。要解决这个问题,可以使用一种自举型控制芯片来扩展和优化次级侧的栅极驱动能力,并由此获得高的转换效率。