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The Structure of Thin Epitaxial Layers of Lead Selenide
1
作者
Arif M. Pashaev
Omar I. Davarashvili:
+3 位作者
Zaira G. Akhvlediani:
Megi I. Enukashvilit
Revaz G. Gulyaev
Vladimir P. Zlomanov
《材料科学与工程（中英文A版）》
2013年第2期116-121,共6页
关键词
外延层
硒化铅
结构
薄膜
X-射线
晶格常数
亚晶粒
纳米层
下载PDF
职称材料
题名
The Structure of Thin Epitaxial Layers of Lead Selenide
1
作者
Arif M. Pashaev
Omar I. Davarashvili:
Zaira G. Akhvlediani:
Megi I. Enukashvilit
Revaz G. Gulyaev
Vladimir P. Zlomanov
机构
National Aviation Academy
iv. javakhishili tbilisi state university
E .Andronikashvili Institute of Physics
M. V. Lomonosov Moscow
state
university
出处
《材料科学与工程（中英文A版）》
2013年第2期116-121,共6页
关键词
外延层
硒化铅
结构
薄膜
X-射线
晶格常数
亚晶粒
纳米层
Keywords
Thin layers of lead selenide, half-width of X-ray line, sizes of subgrains, strain in layers, growth rate.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN215 [电子电信—物理电子学]
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1
The Structure of Thin Epitaxial Layers of Lead Selenide
Arif M. Pashaev
Omar I. Davarashvili:
Zaira G. Akhvlediani:
Megi I. Enukashvilit
Revaz G. Gulyaev
Vladimir P. Zlomanov
《材料科学与工程（中英文A版）》
2013
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