期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
不改变光刻波长实现45nm半节距
1
作者
Mark Slezak
Zhi Liu
《集成电路应用》
2007年第4期38-42,共5页
最近的两年多以来.65nm半节距(HP)光刻.传统上叫做45nm节点.在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案.然而大多数逻辑和存储器公司最终决定.在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双...
最近的两年多以来.65nm半节距(HP)光刻.传统上叫做45nm节点.在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案.然而大多数逻辑和存储器公司最终决定.在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双重硬掩膜方法。
展开更多
关键词
光刻
节距
波长
技术选择
ARF
关键层
挑战性
存储器
下载PDF
职称材料
题名
不改变光刻波长实现45nm半节距
1
作者
Mark Slezak
Zhi Liu
机构
Ramakrishnan Ayothi
jsr micro inc.
出处
《集成电路应用》
2007年第4期38-42,共5页
文摘
最近的两年多以来.65nm半节距(HP)光刻.传统上叫做45nm节点.在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案.然而大多数逻辑和存储器公司最终决定.在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双重硬掩膜方法。
关键词
光刻
节距
波长
技术选择
ARF
关键层
挑战性
存储器
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不改变光刻波长实现45nm半节距
Mark Slezak
Zhi Liu
《集成电路应用》
2007
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部