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Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
1
作者
李忠辉
于彤军
+5 位作者
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004年第9期1845-1847,共3页
下载PDF
职称材料
题名
Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
1
作者
李忠辉
于彤军
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
机构
keylaboratoryofoptoelectronicdevicesandsystems
(
ministryofeducation
)
StateKeyLaboratoryforMesoscopicPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004年第9期1845-1847,共3页
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
李忠辉
于彤军
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004
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