日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法(英文)

随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻。因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。

采用边缘清洗技术控制边缘缺陷提高成品率

约有25%的芯片分布在300mm硅片的周边区域,近来的研究表明硅片周边区域的成品率仅为50%左右。芯片生产商越来越重视硅片边缘缺陷对合格率的影响,并积极的研发清洗方案提高良率。例如，采用边缘清洗技术能够控制边缘缺陷源，进而最大限度地提高成品率。

刻蚀实现双重图形的前景

双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力，要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。