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32纳米:光刻、晶体管技术的变革
被引量:
2
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作者
Laura Peters
《集成电路应用》
2008年第3期50-55,共6页
由45纳米过渡到32纳米技术节点,除了可能在一些关键的材料方面发生改变,另一个主要的变化是在关键工艺层中采用双重成像光刻技术。何去何从,成本因素和产品需求将起到决定性的作用。
关键词
32纳米
技术节点
光刻技术
晶体管
关键工艺
产品需求
成本因素
决定性
下载PDF
职称材料
题名
32纳米:光刻、晶体管技术的变革
被引量:
2
1
作者
Laura Peters
机构
lead technical editor
出处
《集成电路应用》
2008年第3期50-55,共6页
文摘
由45纳米过渡到32纳米技术节点,除了可能在一些关键的材料方面发生改变,另一个主要的变化是在关键工艺层中采用双重成像光刻技术。何去何从,成本因素和产品需求将起到决定性的作用。
关键词
32纳米
技术节点
光刻技术
晶体管
关键工艺
产品需求
成本因素
决定性
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
32纳米:光刻、晶体管技术的变革
Laura Peters
《集成电路应用》
2008
2
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