NAND和NOR flash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

高容量移动应用的NOR闪存和NAND闪存

对存储容量需求指数级的增长证明了从基于NOR闪存的手机向基于NAND闪存手机的转变

嵌入式过程控制得益于闪速PC卡

从前依靠专有硬件和软件的许多应用,现在已由现成的单板计算机(SBC)进行升级换代。这些SBC实际上是加固了的嵌入式个人计算机。工厂、医院、过程控制系统和其它极端重要的应用需要有可靠的解决方案,即能工作于普通台式PC机不能胜任的恶劣和高要求环境中。 加固和可靠的数据存储设备是这类极端重要应用的关键要求。本文介绍如何把Granite Microsystems公司的现成SBC和M-Systems公司的闪速PC卡(以前叫做PCMICA卡)与TrueFFS软件结合在一起,对一家混凝土拌合工厂已使用20年的过程控制系统进行升级。

采用确好芯片开发MCP闪存系统

最近在手机存储器系统开发者中产生了一个增长的趋势,他们把管芯垂直堆叠在一个封装外壳里--通常称为MCP(Multichip Packaging,多芯片封装),设计者采用此方法去节约小巧的印刷电路板空间,这种方法在小型化的终端用户产品(比如移动电话)上应用日益广泛.这些设计采用多层布线、多模块,或者多层布线和多模块相结合的办法对各个不同厂商生产的存储器管芯进行多芯片或系统级封装.这些封装包括一个或一个以上的处理器、存储器,甚至外围电路.通过把管芯堆叠在一个封装外壳里,不仅节约了电路板空间,而且简化了印刷电路板的设计,简化的方法包括减少信号布线需要的路径长度、降低功耗,以及通过使用更短的布线来改善性能.