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与金属兼容的离子注入光刻胶去除剂
1
作者
Glenn Westwood
Ghi-Ming Jason Chang
John B. Covington
《集成电路应用》
2009年第11期I0001-I0004,29,共5页
本文介绍了一种全湿法,高活性的光刻胶去除溶剂,可以去除注入硬化的光刻胶,并具备对金属的兼容能力。
关键词
兼容能力
光刻胶
离子注入
金属
去除剂
全湿法
高活性
下载PDF
职称材料
题名
与金属兼容的离子注入光刻胶去除剂
1
作者
Glenn Westwood
Ghi-Ming Jason Chang
John B. Covington
机构
mallinckrodt baker inc.
出处
《集成电路应用》
2009年第11期I0001-I0004,29,共5页
文摘
本文介绍了一种全湿法,高活性的光刻胶去除溶剂,可以去除注入硬化的光刻胶,并具备对金属的兼容能力。
关键词
兼容能力
光刻胶
离子注入
金属
去除剂
全湿法
高活性
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TP333.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
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1
与金属兼容的离子注入光刻胶去除剂
Glenn Westwood
Ghi-Ming Jason Chang
John B. Covington
《集成电路应用》
2009
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