扫描透射电镜对GalnAsSb／GaSb异质结截面的研究

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb／GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明，在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时，将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错，这些缺陷是对应力的一种释放形式，包括60°位错、90°位错和堆垛层错，并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。