功率Trench MOS器件工业化技术的新进展

简要地回顾和探讨了垂直型功率Trench金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)器件(即Trench MOS)的技术发展及其当前工业化生产水平。重点讨论了适用于工业界大规模生产的,能同时降低正向导通损耗和瞬态开关损耗的器件结构和制造工艺,并举例给出了目前工业界最先进30 V Trench MOS产品综合技术指标(FOM)的比较。最后,讨论了沟槽技术在基于SiC材料的功率MOSFET器件生产中的应用。