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LPMOVPE生长GaAs∶C薄膜
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作者 吴惠桢 J.Antoszkiewicz 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期412-416,共5页
本文用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳GaAs∶C．由于采用了较高衬底温度，GaAs∶C的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下，用铍、锌等常用p型掺杂原子生长的GaAs高；文中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩．
关键词 LPMOVPE生长 外延生长 砷化镓 碳 薄膜
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