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High Power SiGe X-Band (8~10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
1
作者
Ma Zhenqiang
Wang Guogong
+2 位作者
Jiang Ningyue
Ponchak G E
Alterovitz S A
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期270-275,共6页
关键词
晶体管
放大器
基极
发射极
掺杂
下载PDF
职称材料
题名
High Power SiGe X-Band (8~10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
1
作者
Ma Zhenqiang
Wang Guogong
Jiang Ningyue
Ponchak G E
Alterovitz S A
机构
Department of Electrical and Computer Engineering
nasa-glenn research center
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期270-275,共6页
基金
ProjectsupportedbytheNSF(No.ECS0323717)
关键词
晶体管
放大器
基极
发射极
掺杂
Keywords
common-base
common-emitter, doping profile
load-pull
MMIC
SiGe heterojunction bipolartransistors
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
High Power SiGe X-Band (8~10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
Ma Zhenqiang
Wang Guogong
Jiang Ningyue
Ponchak G E
Alterovitz S A
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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