用静态和动态辐射等离子流处理基板上的液晶取向

在本文,我们介绍关于液晶取向的新成果,基板用阳极分层推进器(anodelayersthruster,ALT)产生的加速氩等离子体“层(sheet)”作倾斜处理。由有机的(聚合物)和无机的(玻璃,类金刚石(DLC),二氧化硅等)原材料做成的基板,用等离子体流在静态和动态(垂直于等离子体层方向单向变化)方式下进行处理。对于正性液晶(△ε>0),在两种方式下观察到两种取向模式:易取向轴限制在入射等离子层平面内(模式1)或垂直于这个平面(模式2)。在第1种取向模式中,液晶的预倾角不等于零,并且随着等离子体束入射角和辐射量而变化,其均匀性在动态辐射中更好。随着辐射的增强,会发生模式1到模式2的转变。应用于垂面取向液晶显示器(VALCD)的负性液晶混合物(△ε<0),只有第1种模式(在整个基板上一致取向)被观察到,在辐射量低或高(正性液晶出现第2种取向模式时的相对高的辐射量)时都能出现。预倾角可高达30°,由等离子束的辐射量和入射角来控制。第2种模式在高辐射下出现,并且只在静态方式下,位于等离子层中心的、比较密集的区域,而第1种取向模式在其外围。模式1和模式2由狭窄的过渡区分开,该区呈现多畴液晶取向(二重简并)。这些畴的易取向轴相对于模式1中取向方向大约偏转±45°。对于负性液晶,由模式1到二重简并到模式2转变的取向方式,?