自对准阻挡层提高互连可靠性

一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。

降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩

随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。

干法剥胶系统

300mm硅片干法剥胶系统Gamma Express适用于65纳米和45纳米技术节点。它能够同时满足半导体前道与后道工艺的生产要求。设备在全球已经销售超过160台，每月处理1200多万次硅片。它能够尽可能的减少由于剥离注入层光刻胶而引起的硅材料损失，另外，非氧化去胶技术也可以满足先进硅化物以及超低介电常数绝缘材料的去胶需求。设备通过减少接触面积进而将颗粒、缺陷控制在个位数内，并依靠硅片直接传递实现高生产效率。

CoO驱动存储器转向铜工艺

铜采用电化学沉积(ECD)金属工艺,其生产率要高得多,即便在先进的技术节点,最新的ECD系统填充22nm特征尺寸线条时,其吞吐量仍高于80

论物流及物流管理

这是一篇比较全面阐述物流及物流管理的文章。文中主要阐述了物流的来源及概念;物流在社会经济活动中的地位;物流的基本活动;物流管理体制;物流管理的实施和中国物流现状与发展目标。