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掺硼多晶硅的远红外光谱
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作者 陈辰嘉 A.Borghesi +1 位作者 M.Geddo A.Stella 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第5期321-326,共6页
用傅里叶变换光谱仪在15K和230~620cm^(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到P_(3/2)价带相关的激发态系列的跃迁.实验结果表明,随着Fe浓度的增加,B受主激发谱的吸收强度显著减弱.... 用傅里叶变换光谱仪在15K和230~620cm^(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到P_(3/2)价带相关的激发态系列的跃迁.实验结果表明,随着Fe浓度的增加,B受主激发谱的吸收强度显著减弱.证明Fe-B对的形成和Fe杂质在晶粒边界的可能的积累.实验还观测到P型Si(B)中不同含Fe量时607cm^(-1)处C局域振动模的吸收变化,讨论了Fe杂质对C振动吸收的影响. 展开更多
关键词 多晶硅 远红外光谱
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