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Ⅱ—Ⅵ族半导体材料散射特性的高次有限元分析
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作者 徐善驾 盛新庆 +2 位作者 P.Greiner C.R.Becker R.Geick 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期177-184,共8页
用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。该方法能一次求出纵向模匹配所需要的所有本征模函数,并避开了多模网络方法中求解复超越方程的困难,简化了求解过程。本方法和多模网络方法计算的结果与多个样品的测... 用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。该方法能一次求出纵向模匹配所需要的所有本征模函数,并避开了多模网络方法中求解复超越方程的困难,简化了求解过程。本方法和多模网络方法计算的结果与多个样品的测试值进行了比较,彼此吻合得很好,表明本文方法不仅通用精确,而且具有很高的解题效率。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 散射 有限元
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