AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。