石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用

对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的消除(程度)。样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.

织构与磁体积效应协同作用诱导Mn_(x)Fe_(5-x)Si_(3)合金产生二维零热膨胀

零热膨胀合金在精密控制工程中具有独特的应用.然而,实现零热膨胀的苛刻条件,即自旋、晶格和电荷之间存在的适当耦合,使得零热膨胀合金的种类稀少.在这项工作中,我们报告了一种在体积表现为正热膨胀合金中,通过调节晶体学取向和磁体积效应来实现二维零热膨胀行为的途径.基于此,我们在MnFe4Si3中获得了宽温度区间(10-310 K)的具有热膨胀系数α_(1)=0.45×10^(-7)K^(-1)的二维零热膨胀合金.同步加速器X射线衍射、中子衍射、电镜和磁性测试的结果表明,这种零热膨胀行为由6g位置上的Fe在a-b面内的磁矩以及块体织构共同决定.此外,Mn_(1.5)Fe_(3.5)Si_(3)和Mn_(2)Fe_(3)Si_(3)化合物表现出混磁性和负热膨胀行为,这起源于Fe_(4d)-Fe_(6g)(J_(FM))铁磁性和Mn_(4d)-Mn_(6g)(J_(AFM))反铁磁性相互作用之间的竞争.这种方法能够扩展到其他磁性或铁电材料中,以设计新的低膨胀或负膨胀块体材料.