基于伪静态存储器的设计

伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。

车载信息娱乐系统的动态数据完整性

铁电存储器(F—RAM)最大的特点是写入速度快、读写寿命长以及功耗低,其性能远远超过老式的非易失性存储器。在数据量不断增长的车载信息娱乐系统上,F—RAM将有非常好的应用前景。

FRAM技术为智能安全气囊系统提供“智能性”

汽车安全系统在未来数年间将变得越来越趋于精密。这一趋势会影响到attachrate以及安全气囊系统和汽车稳定性控制系统的的复杂程度。随着这些系统中的电子部分越来越重要，同时对半导体存储器的容量要求也随之增长。本文概述了在设计新一代安全气囊系统存储方案时应该考虑的问题。

绿色环保存储器

鉴于环境问题越来越受到人们的广泛关注，全球电子行业已开始致力于在市场上推出低能耗的产品。白色家电的能耗等级是人们关注的销售数据，参考能耗的高低有助于控制电费；现在，我们更意识到能耗低不仅可以降低电费，而且还有助于环保。

基于伪静态存储器的设计

伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中PSRAM的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。

浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式．市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。