Strain Effect on Photoluminescences from InGaN MQWs with Different Barriers Grown by MOCVD

InGaN/GaN MQW， InGaN/AlGaN MQW 和 InGaN\AlInGaN MQW 被种在上(0001 ) 由 MOCVD 的蓝宝石底层。膜样品被激光起飞技术 Thephotoluminescence 系列制作，膜 shou，一，在 InGaN/GaN MQW，在 InGaN/AlGaN MQW 的山峰位置的 ared 移动和山峰的没有移动的山峰位置的蓝移动与底层样品在 IuGaN/AlInGaN MQWsfrom 放那些。在散布系列和 HR-XRD (0002 ) 的拉曼的不同变化 InGaN/GaN MQW 和 InGaN/AlGaN MQW InGaN/AlInGaN 介绍 MQW，从那些， areobserved。紧张与不同障碍 isconfirmed 在 InGaN MQW 之中不同地改变的事实。AlInGaN 障碍能为在 InGaN/AlInGaN 量井保持的最少的 strain-inducedelectric 调整剩余压力。