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InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究
被引量:
3
1
作者
冯士维
王承栋
+2 位作者
杨集
张弓长
卢毅成
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期464-466,470,共4页
对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数...
对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。
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关键词
探测器
光响应度
多层反射
拟合
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职称材料
题名
InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究
被引量:
3
1
作者
冯士维
王承栋
杨集
张弓长
卢毅成
机构
北京工业
大学
电子
信息与控制
工程
学院
rutgers大学电子工程与计算机系
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期464-466,470,共4页
基金
北京市自然科学基金项目(21002015200501)
教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
文摘
对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。
关键词
探测器
光响应度
多层反射
拟合
Keywords
detector
photo responsivity
multi-layer reflection
regression
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究
冯士维
王承栋
杨集
张弓长
卢毅成
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
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参考文献
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