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Dopant Effects on Defects in GaN Films Grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition
1
作者
陆敏
杨华
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黎子兰
杨志坚
李忠辉
任谦
金春来
陆曙
章蓓
张国义
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第9期1552-1553,共2页
下载PDF
职称材料
题名
Dopant Effects on Defects in GaN Films Grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition
1
作者
陆敏
杨华
黎子兰
杨志坚
李忠辉
任谦
金春来
陆曙
章蓓
张国义
机构
schoolofphysicsandcenterforwideband-gapresearch
StateKeyLaboratoryforArtificialMicrostructuresandMesoscopicPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第9期1552-1553,共2页
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
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作者
出处
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1
Dopant Effects on Defects in GaN Films Grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition
陆敏
杨华
黎子兰
杨志坚
李忠辉
任谦
金春来
陆曙
章蓓
张国义
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003
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职称材料
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