高k栅介质中电荷俘获行为的脉冲特征分析

本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬态充电效应(FTCE)的高k栅晶体管的本征(无俘获)性能进行特征分析。

脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒

由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。

清洗工艺对成功制作高K/金属栅结构的作用

对于使用双金属栅结构的 CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的正确选择。本文比较了采用不同清洗工艺的多种成膜技术,以及基于上述技术得到的有效栅氧厚度(EOT)和其它相关电学参数的表现。

先进栅叠层的在线光谱分析法

量测平台的复杂性和光学原理上的局限性制约着测量系统的应用，直到真空紫外光谱反射仪的出现，这种状况才得到改变。

先进300mm工厂:探索制约生产力提高的弊端

尽管生产周期缩短50%和晶圆加工成本降低30%的目标无法同时实现,但是模型和模拟研究证实了通过缩短首晶圆延时(FWD),改善设备实用性以及向单晶圆加工工艺(SWP)转换可以实现生产周期的缩短和制造成本的降低。

22nm光刻技术前景(英文)

在国际半导体技术蓝图(ITRS)指定的22nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图。在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案。这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32nm节点由193nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术。讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战。

22nm技术节点的成品率目标

半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案,但22nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。