TDK公布在线零部件特性浏览器“CCV”中文版

自2009年2月18日起，TDK公司开始在主页上正式提供中文网页版“CCV”（Components Characteristic Viewer）服务。此服务旨在为包括整机厂家在内的各类设计技术人员提供电子零部件信息。近日，TDK公布了其最新的中文版网址。

TDK成功开发工业应用的15W和30W直流-直流绝缘型转换器

TDK公司2008年4月10日宣布，已经成功开发出工业应用的新系列直流-直流绝缘型转换器。这一系列共包括额定功率为15W或30W的64种产品，并从2008年7月开始，将使用TDK—Lambda品牌进行量产。

TDK推出兼容串行ATA Ⅱ的GBDriver RS2系列NAND闪存控制器

TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA（SATA）Ⅱ的NAND闪存控制器芯片GBDriver RS2系列，并于五月份开始销售。

TDK参加第四届国际汽车电子技术论坛

2009年7月16日，EDNChina在上海主办了第四届国际汽车电子技术论坛。此次论坛包括汽车电子产业的工程师和研究人员在内，共有数千名观众到会参加交流。TDK作为白金赞助商也参加了本次论坛，这也是TDK第二次参加国际汽车电子技术论坛。

沸石分子筛脱除蓖麻油多元醇中微量水的研究

基于蓖麻油多元醇中水分对灌封胶外观及绝缘电阻(IR)的不良影响,以3 A和4 A沸石分子筛为脱水剂,对蓖麻油多元醇中微量水进行脱水干燥实验。研究了沸石分子筛水分含量对其脱除蓖麻油多元醇中微量水的影响。测试结果表明:蓖麻油多元醇与3A分子筛重量比为10:1,蓖麻油多元醇混合物与4A分子筛重量比为100:5,干燥脱水。当3 A分子筛含水量≤0.50%和4 A分子筛含水量≤1.6%时,含水率明显下降,达到脱水干燥效果。随着分子筛含水量的增加,3 A和4 A分子筛对蓖麻油多元醇中微量水的脱除干燥失效。

专利集锦

磁化材料、制备方法、垂直磁化膜结构、电子自旋器件公开号:CN111243816A 2020.06.05本发明涉及材料领域,具体公开了一种磁化材料、制备方法、垂直磁化膜结构、电子自旋器件,所述磁化材料包括主体层;其中,主体层包括依次设置的非磁重金属层、MgO层与Co层,非磁重金属层的材料是Pd或Pt。本发明实施例提供的磁化材料具有优异的垂直磁特性,通过在非磁重金属层和Co层中插入MgO层,可以在高温退火后使得Co层在具有高达几个纳米厚度范围内都保持很好的垂直磁特性,热稳定性高,解决了现有Co基多层膜存在热稳定性低且无法有效增大Co层厚度的问题;而提供的制备方法简单,操作性强,重复性好,成本低廉。

温度对双向拉伸聚丙烯薄膜介电强度的影响研究

电介质膜高温介电强度是影响电容器高温运行的主要因素之一,本研究以4μm和8μm双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜为对象,测试室温(RT)、85℃和105℃条件下的介电强度。结果表明,双向拉伸聚丙烯薄膜的介电强度随温度的升高而降低。在室温和85℃时,薄膜的厚度对介电强度有影响,8μm比4μm薄膜的介电强度均值高出60~80 V/μm;在105℃时,材料的耐高温性能是介电强度衰减的主要影响因素,两种薄膜介电强度水平基本相当,均有10%的测试值分布在400 V/μm以下,约80%的测试值分布在400~500 V/μm。

电力系统电磁兼容实验室设计与建设

介绍了新建于北京特高压直流试验基地电磁兼容实验室的技术特性。结合电力行业大尺寸、高电压、大功率的特点,通过对测试场地技术特性和试验能力的设计与建设,对测试设备和测试系统的优化配置与集成,新建成1座10 m法半电波暗室、1座3 m法全电波暗室和5间屏蔽室。新建实验室可以进行电磁传导干扰、辐射干扰和电磁抗扰度的全部常规试验。新建实验室达到国际先进水平,能够满足电力行业、国内和国际电磁兼容标准与要求。

A_xMn_(1-x)Fe_2O_4铁氧体(A=Zn,Ni)中阳离子的占位有序化行为研究

基于尖晶石晶体结构信息,本文采用热力学三亚晶格模型,将材料热力学计算和第一性原理计算相结合,研究了Zn_xMn_(1-x) Fe_2O_4和Ni_xMn_(1-x)Fe_2O_4立方相中的Zn^(2+)、Ni^(2+)、Mn^(2+)以及Fe^(3+)在8a和16d亚晶格上的占位有序化行为。结果表明:在锰铁氧体中,室温下Mn^(2+)完全占据在8a亚晶格上,Fe^(3+)完全占据在16d亚晶格上,属于正尖晶石结构;随着热处理温度升高,在1 273 K达到热处理平衡时的占位构型为(Fe^(3+)0.09Mn^(2+)0.91)[Fe^(3+)1.91Mn^(2+)0.09]O_4,在热处理温度升至1 473 K时,达到热处理平衡时的占位构型为(Fe^(3+)0.11Mn^(2+)0.89)[Fe^(3+)1.89Mn^(2+)0.11]O_4,均与实验结果符合较好。在锌铁氧体中,室温下Zn^(2+)完全占据在8a亚晶格上,Fe^(3+)完全占据在16d亚晶格上,属于正尖晶石结构;在热处理温度较高时,Zn^(2+)和Fe^(3+)发生部分置换,符合实验结果。在镍铁氧体中,半数的Fe^(3+)在室温下占据在8a亚晶格上,Ni^(2+)与剩下另一半的Fe^(3+)共同占据在16d亚晶格上,仅在热处理温度较高的时候发生微弱变化,亦与已有的实验结果吻合。在此基础上,本文进一步通过热力学模型研究了立方相尖晶石结构的Zn_xMn_(1-x)Fe_2O_4、Ni_xMn_(1-x)Fe_2O_4复合体系中阳离子占位行为与热处理温度对占位的影响规律。

磁头内置DFH控制元件可靠性的有限元分析

磁头内置DFH控制元件的可靠性设计评估十分重要,目前工艺上多采用经验数据指导的方法,误差十分大,理论上是根据传统流体力学的基本原理,利用Matlab软件实现模拟评估的,由于元件尺寸限制,模拟算法会随着舍入误差的叠加而失效.本文使用ANSYS软件,通过实验获得建立模型的基本参数,选择了合适的单元类型、材料属性,给出了磁头的有限元模型.利用模型对元件进行的寿命预测实验表明,有限元模型分析DFH控制元件的设计可靠性问题是有效的,并且得出以下结论:在50Ω的新型DFH计算结果中,其热效应强度比传统屏蔽层大10%以上,实际的寿命失败样品问题区域都在线路的转角处.

磁头润滑油饱和厚度研究

为了解决生产过程中需反复测量磁头润滑油饱和厚度的问题,结合原子力学显微镜(AFM),做反复动态测试,测试表明,在2.5 nm以内,磁头读写磁碟数据处,润滑油饱和厚度与该处距磁碟中心长度呈好的线性关系.2.5 nm以外到磁碟边缘,采用改进欧拉算法处理数据,发现润滑油饱和厚度的计算值和实际值的差值与该处距磁碟中心长度也呈线性关系.对实验结果误差进行了理论分析和实际验证,结果表明,由于空气流压力以及磁碟边缘磁隙引发的局部磁泄,磁头边缘润滑油饱和厚度很难预测.

磁头无铅微焊点液滴飞溅和失效性分析

磁头无铅微焊点可靠性分析主要包括焊点前期液滴飞溅的防护和后期焊点失效性分析,在实际生产中,应用钎料球喷射连接技术时,钎料液滴飞溅时有发生,本文融合激光加热和氮气压力技术,建立了一种新的用于计算磁头内置DFH控制元件连接钎料液滴冲击速度的双液滴模型,同时,采用正交试验法对比了不同激光加热参数和氮气压力条件下磁头内置DFH控制元件连接钎料液滴飞溅的情况,并进一步融合可控扫描式磁场和偏置两种方法,研究了磁头微焊点的失效情况.试验结果表明:下落前,激光脉冲能量是决定液滴温度的主要因素;下落后,对钎料液滴温度影响最大的是钎料液滴的初始温度.磁头无铅微焊点失效是焊点液滴飞溅和金属间化合物共同作用的结果.

密封胶用硅烷封端聚醚树脂的制备与性能研究

以3-异氰酸酯基丙基二甲氧基硅烷、聚丙二醇(PPG)、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷为主要原料,通过加成反应制备了不同异氰酸酯基与羟基的量之比(R值)的硅烷封端聚醚树脂。采用红外光谱和核磁共振氢谱表征了产物结构,并测试了其固化物性能。结果表明,随着R值的增大,硅烷封端聚醚树脂固化物的拉伸强度从0.29 MPa提高到0.63 MPa,邵尔A硬度从12度升至33度,拉断伸长率从476.3%降至127.2%,质量损失率为10%、30%时的温度下降,质量损失率为50%、80%和热分解结束时的温度上升,在去离子水中浸泡7 d后的吸水率由15.8%降至9.2%;该硅烷封端聚醚树脂具有较好的力学性能、热稳定性和耐水性,可用于密封胶领域。

新基建需要什么样的电容器

1服务5G的电容器TDK一直十分关注中国的新基建,尤其是5G领域的电源发展。5G电源一个非常重要的特点是能源效益及能量密度明显要求加大很多,为的是减少5G产品的占地面积以达到小型化的目的。此外,新的5G有源天线模块普遍采用的是自然冷却散热的设计,所有这些对绝大多数被动器件都提出新的挑战-更高的温度耐受性。特别是在薄膜电容方面,传统的MKP薄膜电容因为受到固有原材料及生产工艺的限制,通常最高工作温度只能达到110℃。但是TDK的爱普科斯(EPCOS)薄膜电容器打破了此枷锁并完善性的开发了适用于开关电源行业的全套125℃薄膜电容。TDK一直致力研究性能更強的薄膜电容器。

CaO-SiO_2-BaO-CaF_2四元渣去除熔硅中的硼杂质（英文）

为提高硼的去除率,研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO_2-BaO-CaF_2四元渣和熔硅之间的分配系数LB,讨论了四元渣系中CaO/SiO_2质量比、BaO和CaF_2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明:随着CaO-SiO_2渣中BaO和CaF_2含量的增大,LB值增大。当CaO/SiO_2质量比为1.1:1、BaO和CaF_2含量分别为15%和20%时,CaO-SiO_2-BaO-CaF_2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好,LB达到最大值6.94,并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后,熔硅中硼含量由3.5×10^(-5)降到3.7×10^(-6),硼的去除率达到89.4%。

铝基碳化硼/铝层状复合材料润湿过程研究

采用真空座滴法研究了铝基碳化硼复合材料基板与铝合金熔体之间的结合过程,揭示两种材料的结合机理。结果表明液态铝合金和铝基碳化硼复合材料之间的结合可分为三个阶段:缓慢铺展阶段,由表面张力驱动;渗透阶段,由毛细作用力驱动;平衡阶段。

拧紧扳手凸轮轴自动变位装置研发与设计

文章介绍了拧紧扳手凸轮轴自动变位装置的工作原理和制造目标。简述了实现拧紧扳手凸轮轴自动变位装置制造目标的结构:凸轮轴自动变位模块、电气控制模块、误差调整模块等。给出了拧紧扳手凸轮轴自动变位装置发展趋势,对汽车发动机自动化装配生产线的研发具有重要的参考价值。

高速摄像机观察中高压陶瓷电容材料的击穿现象

使用专业高速摄像机,在线观察研究了中高压陶瓷电容材料在电场作用下被击穿破坏过程。结果表明,中高压陶瓷电容材料的击穿通常发生在0.17～0.25 ms。在电场强度逐渐增强的过程中,还可以观察到陶瓷样品的放电、气体放出以及陶瓷介质的燃烧等现象。击穿前出现的放电频率越高,材料的击穿电场强度越低,而气孔率的减小有助于材料击穿电场强度的提高。