氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究

利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征。实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为 0 7nm的非导电碳氢化合物污染层。氧等离子体处理方法可有效地消除C污染 ,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种。氧等离子体处理不仅提高了约 5 0nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量 ,更重要的是提高了膜层中O2 - 离子氧种的含量 ,改变了膜层化学结构 ,使得ITO薄膜表面的导电性能降低 。