新型低寄生电感模块的设计

寄生电感一直都是电力电子器件应用中需要克服的主要难题,尤其对于高频和大功率应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程出现过电压,寄生参数会造成模块开关过程中的波形振荡,从而增加了电磁干扰和关断损耗。现在较常用的方法是把叠层直流母线引入到模块内部,但机械结构较复杂,而且成本较高,体积也较大。这里阐述了一种新的基于现有标准模块封装,通过为瞬时电流提供一条额外的超低寄生电感回路,真正实现了功率模块的低寄生电感设计,为大功率高频应用的实现提供了可能性。

基于新型分离输出拓扑结构的SiC-MOSFET功率模块应用

高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的体二极管正在成为瓶颈。SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖特基二极管,仍然偏大。介绍了一种新型的分离输出拓扑结构,在开关状态下,屏蔽体二极管的导通,降低反向恢复电流,从而降低SiC-MOSFET的开通损耗,同时抑制桥臂直通的风险。使用安捷伦功率器件分析仪B1505A对M34x功率模块进行了性能和效率测试,用VincotechISE软件对典型光伏逆变器的效率进行仿真分析。