期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
氮化镓功率晶体管三电平驱动技术
被引量:
19
1
作者
任小永
David Reusch
+2 位作者
季澍
穆明凯
Fred C Lee
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第5期202-207,共6页
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基Ga...
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展。2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件。与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性。实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。
展开更多
关键词
氮化镓
GAN
三电平
驱动方式
下载PDF
职称材料
题名
氮化镓功率晶体管三电平驱动技术
被引量:
19
1
作者
任小永
David Reusch
季澍
穆明凯
Fred C Lee
机构
南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室
virginiapolytechnicinstituteandstateuniversityblacksburgva
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013年第5期202-207,共6页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金(NS2012091)
光宝科技电力电子科研基金
+1 种基金
台达电力电子科教发展计划(DREG2012005)
江苏省新能源发电与电能变换重点实验室开放基金资助项目
文摘
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展。2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件。与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性。实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。
关键词
氮化镓
GAN
三电平
驱动方式
Keywords
Gallium nitride
GaN
three-level
driving method
分类号
TM46 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化镓功率晶体管三电平驱动技术
任小永
David Reusch
季澍
穆明凯
Fred C Lee
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2013
19
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部