用于高效DC／DC变换器的沟槽MOSFET

面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDs(on)功率MOSFET能有新的进展.虽然近年来沟槽栅极结构和超高单元密度(ultra-high-cell-density)器件已经在性能方面取得了长足进步,但当前的器件技术仍然限制了功率MOSFET在高频工作时(如应用于同步DC-DC变换器时)的动态性能.

慎用零电压开关技术

＂高频？没问题!我们用谐振开关技术＂,这是当前电源转换器设计中经常听到的口头禅。零电压开关（Zero-Voltage Switching,ZVS）技术被视为由高频及更高效率要求而带来的所有挑战的应对妙法。虽然ZVS确实是个＂福音＂,但设计工程师须当心其局限性,并注意实现过程中的大量陷阱。零电压开关的基本概念说来简单。