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pH值对电沉积CuInSe_2薄膜的组份、结构及光电性能的影响
被引量:
2
1
作者
王信春
王广君
+3 位作者
庞山
万绍明
张兴堂
杜祖亮
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期2437-2442,共6页
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结...
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。
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关键词
CUINSE2
富铜
富铟
电沉积
太阳能电池
下载PDF
职称材料
题名
pH值对电沉积CuInSe_2薄膜的组份、结构及光电性能的影响
被引量:
2
1
作者
王信春
王广君
庞山
万绍明
张兴堂
杜祖亮
机构
f河南大学特种功能材料教育部重点实验室
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期2437-2442,共6页
基金
国家自然科学基金(No.10874040,20773103)
教育部科技创新工程重大项目培育基金(No.708062)资助项目
文摘
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。
关键词
CUINSE2
富铜
富铟
电沉积
太阳能电池
Keywords
CuInSe2
rich-Cu
rich-In
electrodeposition
solar cell
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
pH值对电沉积CuInSe_2薄膜的组份、结构及光电性能的影响
王信春
王广君
庞山
万绍明
张兴堂
杜祖亮
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
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