沉积温度对氧化锆薄膜显微结构的影响

采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,而对YSZ薄膜沉积速率的影响则很大。与YSZ薄膜相比,ZrO2薄膜容易形成结晶态。25℃时所制备的ZrO2薄膜为非晶态,300℃时则为单斜晶体结构,薄膜的结晶程度随沉积温度的升高而提高。而两种温度下制备的YSZ薄膜均为非晶态薄膜。随沉积温度的升高,ZrO2薄膜表面变得致密光滑,而YSZ薄膜表面则变得粗糙不平。

用Ni-Ti粉末做中间层连接C/C复合材料和GH3128镍基高温合金(英文)

通过包埋工艺在C/C复合材料表面制备了改性SiC涂层。采用Ni-Ti粉末作中间层连结材料,利用真空热压扩散工艺成功制备了SiC涂层改性C/C复合材料与GH3128镍基高温合金的连接样件。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱分析仪和材料万能试验机,研究了SiC涂层改性C/C复合材料与GH3128镍基高温合金连接接头及其界面的元素分布、微观结构及力学性能。结果表明,在C/C复合材料表面制备SiC涂层,不仅充分改善了C/C复合材料对Ni-Ti中间层连结材料的润湿性,而且还有效缓解C/C复合材料与GH3128连接界面因热膨胀不匹配而造成的热应力。经过SiC涂层改性处理的连接接头,其室温剪切强度可达22.49MPa;而没有经过SiC涂层改性处理的连接接头,其室温剪切强度几乎为零。