硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导...硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导率不匹配的问题。随着硅基板技术的推广,其可靠性评价是应用前急需解决的问题。目前并没有关于TSV硅转接基板的可靠性评价要求的国内相关标准。从TSV硅转接基板的结构出发,借鉴国军标相关标准,形成了针对硅转接基板的可靠性评价方法,并进行了工程验证。验证结果表明通过有针对性的评价方法,可以反映出TSV硅转接基板的质量特性,实现可靠性评价。展开更多
Sn O2薄膜是一种宽禁带半导体材料(3.6 e V),且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景,引起了国内外极大的关注。目前,所制备的本征Sn O2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3;经过n型化后Sn O2薄膜的载流子...Sn O2薄膜是一种宽禁带半导体材料(3.6 e V),且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景,引起了国内外极大的关注。目前,所制备的本征Sn O2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3;经过n型化后Sn O2薄膜的载流子浓度可达1021 cm-3。所制备的本征Sn O2薄膜的带隙为3.6 e V,经过p型化后Sn O2薄膜的带隙可达3.8 e V。鉴于Sn O2导电薄膜光电性质的重要性,就Sn O2薄膜的制备方法、n型化和p型化掺杂改性进行了综述。展开更多
文摘硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导率不匹配的问题。随着硅基板技术的推广,其可靠性评价是应用前急需解决的问题。目前并没有关于TSV硅转接基板的可靠性评价要求的国内相关标准。从TSV硅转接基板的结构出发,借鉴国军标相关标准,形成了针对硅转接基板的可靠性评价方法,并进行了工程验证。验证结果表明通过有针对性的评价方法,可以反映出TSV硅转接基板的质量特性,实现可靠性评价。