Z箍缩柱面丝阵负载装配微张力控制器研制

目前国内Z-pinch实验中采用的丝阵负载是手工绕制的自适应式丝阵负载,每根丝的松紧程度不能保持一致,这在一定程度上影响了Z-pinch试验的结果。讨论了一种基于弹性变形测量和摩擦加载的微张力控制器的原理和结构,提出了微张力控制的张力大小、加载压力和线轮加速度之间的关系,设计制造了微张力控制器原型,并进行了微张力控制的初步实验,所设计的微张力控制器能实现4 g微张力控制。

反相微乳法制备锆锰掺杂六铝酸盐催化剂的研究

利用三相图确定了稳定的OP-10乳化剂/正丁醇/环己烷/水反相微乳体系,并采用反相微乳法和超临界干燥技术制备了纳米锆锰掺杂六铝酸盐催化剂。X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、比表面积(BET)和氢气程序升温还原(H2-TPR)对锆锰掺杂六铝酸盐进行表征。分析结果表明,催化剂制备的最佳焙烧条件为1 050℃,焙烧4 h,比表面积为78.185 m2/g,颗粒分散均匀,主要形状为片状,粒度在10 nm^30 nm。

浸没式ArF光刻中杂散光影响的研究

由于浸没液体和大数值孔径的引入,杂散光对光刻性能的影响更为显著和复杂,对杂散光进行分析和控制是获得良好光刻性能的关键之一。利用Prolith 9.0软件研究了不同数值孔径(NA)条件下,浸没式ArF光刻中杂散光对65 nm特征图形的光强分布、图像对比度、线宽均匀性、图形位置误差和工艺窗口的影响,研究结果表明,大数值孔径会导致光刻性能对杂散光更为敏感。同时还分析了偏振方向与曝光图形方向一致(Y偏振)的线偏振光对不同杂散光和数值孔径条件下的光刻工艺窗口的影响,研究结果表明,采用Y偏振光可以降低杂散光对工艺窗口的影响,使工艺窗口得到相应拓展,提高了光刻性能。

用DMD灰度曝光法产生连续面形微结构

利用空间光调制器光强的精确调制作用,把数字微反射镜阵列(DMD)作为灰度图形发生器,经一次曝光及优化显影等后处理过程,可制作出具有连续面形的微光学元件。用上述方法在实验上获得了微透镜阵列,并有较好的连续面形,符合预期效果。研究表明,该方法不仅可快速地实现连续面形微结构的加工,而且大大简化了制作工艺,有助于降低微光学元件的加工成本,适合于微结构的研究性制作或小批量生产,有广泛应用潜力。

DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计

基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高。采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布。高精度的场分布有利于高级像差。为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差。动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2nm;偏转场大小为1mm×1mm时,束斑分辨率约为29.8nm。结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求。

接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析

根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。

激光直写中光刻胶对激光能量的吸收模型

光刻胶对激光能量的吸收模型是激光直写中的重要模型，它是进行邻近效应计算机模拟进而实现邻近校正不可缺少的重要依据。分析了影响光刻胶吸收激光束能量的主要因素，提出了一种光刻胶对激光能量的吸收模型。实验表明，该模型能更精确地表示光刻胶吸收激光能量密度分布的实际情况，能为激光直写邻近校正及微光学元件等光刻过程的计算机模拟提供可靠的依据。

甲烷-氢气体系金刚石生长的热力学相图分析

低压金刚石的生长实验自八十年代至今已取得了很大成功。但采用合理的计算方法定量化地预测出金刚石生长条件在国内外还是一个新的课题。本文根据非平衡热力学耦合理论模型绘制了甲烷－氢气体系金刚石生长投影相图，并收集了１９８２－１９９７年大量的实验结果，经比较相一致，并讨论了氢原子在金刚石生长过程中的作用。计算得到的相图与经典平衡相图有本质不同，有金刚石生长区，因而可以合理解决金刚石低压下连续生长而石墨被腐蚀的实验事实与经典平衡热力学之间的矛盾。本文的计算结果可以为ＣＶＤ金刚石生长实验提供定量化的压力条件的选择和优化实验条件。

FED的光刻技术

通过数值计算分析了 FED接触光刻的中衍射效应 ,并在现有的条件下实现了一种简单而实用的大面积一微米直径微孔的接触光刻方法。

光学邻近效应的计算机模拟研究

本文以部分相干光的衍射理论为基础，分析了掩模结构参量对衍射场分布的影响，讨论了光学邻近效应产生的物理机理，确定了其有效作用范围，为研究光学邻近效应校正打下了基础。

灯丝温度对生长金刚石薄膜的影响

用热丝化学气相沉积法在Si（110）和钛合金衬底上淀积了金刚石薄膜。借助扫描电镜、喇曼光谱和X射线衍射等分析手段，研究了灯丝温度和衬底表面预处理对合成金刚石薄膜的影响。灯丝温度超过2300℃时，金刚石薄膜中含有多晶碳化钨；灯丝温度在1500～1800℃之间时，非金刚石碳相的含量增加。经预淀积类金刚石薄膜后，金刚石薄膜的形核密度大于机械抛光的形核密度。

磁控真空电弧沉积TiN膜的扫描电镜分析

利用扫描电镜，分析了磁控电弧沉积的氨化钛膜微观形貌。实验表明，阴极磁场对膜层的形貌有显著的影响，合理的磁场设计可减少膜层中的宏观颗粒（ＭＰ）；膜的表面形貌主要受ＭＰ的影响，但当基片表面起弧时，弧痕对表面形貌的影响比ＭＰ的影响大；ＭＰ粒径多数在１～３微米之间，但少数的ＭＰ也可能大于十几微米或１微米以下。对ＭＰ的形貌分析表明，ＭＰ的形态与其粒径有关，较小的ＭＰ顶部呈圆球形，而较大的ＭＰ顶部扁平，且底部有微孔。

离子注入R－PVC材料静电性能研究

采用１５０ｋｅＶ不同注入济量的Ａｒ－离子，对特种聚氯乙烯（Ｒ－ＰＶＣ）材料注入，进行抗静电改性，使材料表面静电特性得到显著改变。对比实验和近九年的静电性能跟踪测试表明：在相同条件下，改性材料与未改性材料相比，表面电阻率下降四个数量级以上，静电半衰期由数小时减小到秒量级，抗静电性能稳定。与化学改性工艺相比，离子束改性材料不怕水洗，不怕高温，受环境湿度影响小，抗静电性能具有永久性。

强流离子光学计算方法

强流离子光学与传统离子成像光学相比，最主要的区别是强流离子光学必须考虑空间电荷效应。本文讨论利用计算机辅助设计建立强流离子光学的差分计算方法，可直接绘出空间电位分布及离子运动轨迹。设计验证了几个实例，获得较好的结果。

C_（60）薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。

一种新型的电子束图形发生器

本文介绍了一种新型的电子束图形发生器,它基于主从分布式微机结构体系。以IBM PC/AT为主机管理,MCS—51单片机为分机控制。下位机接收传来的命令和数据,并分析转换以完成单双通道各种基本图形的扫描。工作频率在6MHz以上。结果表明:用分布式微机结构体系完成原小型机的工作,可以大大简化图形发生器的结构,且控制灵活,为曝光机的整机自动化打下基础。

北大重离子所离子注入工作现况

北京大学初步建成能量直至兆电子伏级的离子加速器——离子注入设备系统。本文总结了北大重离子物理所离子束应用组几年来开展离子注入研究的工作,包括:开发应用微机计算离子射程分布的SARIS、TRION、MACA程序,其中后者可适用于高剂量注入动态靶;实验研究了MeV硼离子注入硅的分布,提出了多能注入形成平台载流子分布的实用方法;在离子注入高分子材料研究中观测到了增强氧化和C=C双键形成等现象,研究了光刻胶的离子束曝光特性;系统研究了应用离子束混熔技术在低碳钢表面形成的Al和Al合金镀层,大大提高了基体钢的耐腐蚀能力。

应用于扩散工艺中的闭管扩散技术

介绍了一种用于晶体硅太阳能电池p-n结制造的闭管扩散技术,它主要是针对目前使用的开管扩散技术的不足而提出的,实践证明,该技术不仅扩散均匀性优,而且节源、节能、环保,同时它还可以运用于其它半导体材料的扩散掺杂工艺。

电子束重复增量扫描曝光方式的反应机理研究

从高分子辐射化学的角度分析了电子束曝光的实际反应机理,推导得出曝光辐射剂量与辐射降解程度间的关系,提出了重复增量扫描方式的电子束微三维加工方法。通过在SDS-3型电子束曝光机上对正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的三维结构,验证了该方法的可行性。

多孔硅在电容式微传声器制备中的应用研究

多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料。探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能。提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高。同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能。